進(jìn)軍車(chē)載功率芯片，布局新一代IGBT技術(shù) 東微半導(dǎo)登陸科創(chuàng)板

2月10日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（股票簡(jiǎn)稱(chēng)：東微半導(dǎo)；股票代碼：688261）將正式登陸上交所科創(chuàng)板。公開(kāi)資料顯示，東微半導(dǎo)是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷(xiāo)售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，其產(chǎn)品專(zhuān)注于工業(yè)及汽車(chē)相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。公司憑借優(yōu)秀的半導(dǎo)體器件與工藝創(chuàng)新能力，集中優(yōu)勢(shì)資源聚焦新型功率器件的開(kāi)發(fā)，是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備從專(zhuān)利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)的高性能功率器件設(shè)計(jì)公司之一，并在應(yīng)用于工業(yè)級(jí)領(lǐng)域的高壓超級(jí)結(jié)、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化替代。東微半導(dǎo)依托對(duì)器件結(jié)構(gòu)和工藝的創(chuàng)新凸顯產(chǎn)品的領(lǐng)先性，在國(guó)內(nèi)眾多功率半導(dǎo)體廠商中獨(dú)樹(shù)一幟。

專(zhuān)注工業(yè)及汽車(chē)市場(chǎng)，人均產(chǎn)值超千萬(wàn)元

近年來(lái)，碳中和、碳達(dá)峰、新能源汽車(chē)、5G和云計(jì)算等新技術(shù)應(yīng)用需求迎來(lái)了爆發(fā)性增長(zhǎng)，而功率半導(dǎo)體是在上述應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心基礎(chǔ)元器件。公開(kāi)信息顯示，東微半導(dǎo)的業(yè)務(wù)大多來(lái)自于工業(yè)級(jí)和汽車(chē)相關(guān)應(yīng)用。業(yè)內(nèi)周知，相對(duì)于消費(fèi)電子市場(chǎng)，工業(yè)及汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)芯片的性能和品質(zhì)要求更高，存在著較高的技術(shù)壁壘。在功率器件領(lǐng)域，應(yīng)用于新能源汽車(chē)的芯片基本被進(jìn)口芯片品牌壟斷，僅極少數(shù)國(guó)內(nèi)芯片供應(yīng)商能夠進(jìn)入上述領(lǐng)域，而東微半導(dǎo)便是其中的佼佼者。經(jīng)過(guò)多年驗(yàn)證，2021年公司產(chǎn)品開(kāi)始批量進(jìn)入比亞迪新能源車(chē)，成功進(jìn)軍車(chē)載芯片市場(chǎng)。

招股書(shū)披露，東微半導(dǎo)預(yù)計(jì)2021年度營(yíng)業(yè)收入為7.72億元至8.03億元，同比增長(zhǎng)150%至160%；預(yù)計(jì)2021年度歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為1.32億元至1.53億元，同比增長(zhǎng)377%至453%；預(yù)計(jì)2021年度扣非后的凈利潤(rùn)為1.27億元至1.47億元，同比增長(zhǎng)522%至620%。2021年公司業(yè)績(jī)暴增的主要原因是受益新能源汽車(chē)充電樁、通信電源以及光伏逆變器的需求暴增。

招股書(shū)顯示，截至2021年6月30日東微半導(dǎo)的研發(fā)人員占比46%，按其員工數(shù)推算，預(yù)計(jì)人均產(chǎn)值超過(guò)1000萬(wàn)元，約是國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)人均產(chǎn)值的5倍，屬于典型的技術(shù)密集型芯片設(shè)計(jì)高科技公司。

打造技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)  產(chǎn)品獲得高度認(rèn)可

作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高性能功率器件廠商，東微半導(dǎo)自成立以來(lái)，就對(duì)半導(dǎo)體功率器件核心技術(shù)的發(fā)展持續(xù)跟蹤并深入調(diào)研，進(jìn)行持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新，確保公司的產(chǎn)品迭代能夠緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，亦滿(mǎn)足客戶(hù)終端產(chǎn)品的創(chuàng)新需求。這為公司業(yè)務(wù)開(kāi)展及未來(lái)新業(yè)務(wù)的拓展打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

高壓超級(jí)結(jié)MOSFET是東微半導(dǎo)的王牌產(chǎn)品，也是其功率分立器件領(lǐng)域中占比最大的產(chǎn)品，高壓超級(jí)結(jié)MOSFET器件具有高頻、易驅(qū)動(dòng)、功率密度高等特點(diǎn)，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，涵蓋通信、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、光伏、儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。東微半導(dǎo)自成立以來(lái)積極投入對(duì)高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品的研發(fā)，并得到了華為、比亞迪、特銳德、通用電氣、視源股份、英飛源、英可瑞、高斯寶、金升陽(yáng)、雷能、美的、創(chuàng)維、康佳等全球知名客戶(hù)的認(rèn)可，取得良好的市場(chǎng)口碑。

2016年4月14日，人民日?qǐng)?bào)刊登了東微半導(dǎo)的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET在充電樁用高壓高速核心半導(dǎo)體器件領(lǐng)域首次實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化的報(bào)道，確定了東微半導(dǎo)在充電樁功率器件領(lǐng)域“國(guó)產(chǎn)第一芯”的地位。

招股書(shū)顯示，東微半導(dǎo)最先進(jìn)的高壓超級(jí)結(jié)產(chǎn)品OSG65R017HT3F的導(dǎo)通電阻為14mohm，與國(guó)際領(lǐng)先品牌英飛凌最小的導(dǎo)通電阻15mohm處于相似水平，而公司產(chǎn)品的650V耐壓要高于英飛凌的600V耐壓，綜合性能優(yōu)勢(shì)明顯。對(duì)于MOSFET而言，導(dǎo)通電阻是一個(gè)重要的性能參數(shù)，該數(shù)值越小，MOSFET工作時(shí)的功率損耗越小，也越能體現(xiàn)公司的技術(shù)創(chuàng)新能力。

值得一提的是，東微半導(dǎo)于2016年提出的超級(jí)硅系列產(chǎn)品性能更為突出，OSS60R190FF型號(hào)的優(yōu)值（FOM）為2.53Ω·nC，優(yōu)于全部國(guó)際品牌在相同平臺(tái)下臨近規(guī)格的優(yōu)值，包括英飛凌最新一代產(chǎn)品IPDD60R190G7。

此外，東微半導(dǎo)還開(kāi)發(fā)出原創(chuàng)Tri-gate IGBT，實(shí)現(xiàn)批量出貨。招股書(shū)指出，東微半導(dǎo)的IGBT產(chǎn)品通過(guò)優(yōu)化器件內(nèi)部的載流子分布，提高了電流密度，在不提高飽和壓降Vce,sat的情況下實(shí)現(xiàn)了較低的關(guān)閉損耗Eoff。比如，公司的低飽和壓降系列650V75A芯片OST75N65HSZF，可以在Eoff相對(duì)于OST75N65HZF基本不變的情況下（0.9mJ），將飽和壓降Vce,sat典型值降低到了1.50V，性能處于國(guó)際領(lǐng)先水平。由于采用創(chuàng)新器件結(jié)構(gòu)，東微半導(dǎo)的IGBT的電流密度大幅提高，其芯片面積進(jìn)一步縮小，突破了傳統(tǒng)IGBT的電流密度水平，直接消除了多年以來(lái)國(guó)產(chǎn)IGBT與進(jìn)口IGBT芯片之間的技術(shù)代差。目前，Tri-gate IGBT（TGBT）產(chǎn)品已在光伏逆變、儲(chǔ)能、充電樁模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域批量出貨。

招股書(shū)顯示，此次東微半導(dǎo)登陸科創(chuàng)板募集資金主要是投向超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目、科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金等。隨著募投項(xiàng)目的實(shí)施，公司將進(jìn)一步提升超級(jí)結(jié)、IGBT芯片等功率芯片的性能，并且開(kāi)拓第三代半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)。