核心技術依賴中國！三星、SK海力士將不得不尋求長江存儲的專利許可

2025/2/24 19:27:31 挖貝網(wǎng) 周路遙

無論是三星還是SK海力士，想要生產下一代NAND閃存，都無法繞開長江存儲的專利！

今天下午，韓國媒體ZDNET Korea報道，三星電子近日與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議。因為評估認為，下一代NAND業(yè)務的不確定性增加，從V10（第10代） NAND開始，已經(jīng)無法再避免長江存儲專利的影響。

除了三星，ZDNET Korea還強調，韓國另一大存儲芯片巨頭SK海力士的下一代NAND閃存芯片的核心專利，也需要依賴中國，預計SK海力士也將與長江存儲簽署專利協(xié)議。

看到這里，可能有讀者會好奇，目前三星、SK海力士幾乎壟斷了全球的NAND市場，那為什么在下一代NAND閃存芯片領域，又必須依賴長江存儲呢？

三星原有技術不適應下一代NAND閃存芯片

V10是三星電子的下一代NAND，計劃于今年下半年量產。根據(jù)三星的規(guī)劃，V10的堆疊層數(shù)估計在420到430之間。

但目前，量產的NAND閃存的堆疊層數(shù)都在300層左右。其中，海力士、三星當前量產的堆疊層數(shù)最高的產品堆疊層數(shù)分別為286層、321層。

那么，如何將3D NAND閃存芯片的堆疊層數(shù)從300層提高到400層？這并不是常規(guī)的技術演進，涉及到重大的技術跨越。而在這個技術跨越中繞不開長江存儲的專利。

據(jù) ZDNet 報道，三星之前在 NAND 生產中使用了 COP（外圍單元）方法，即將外圍電路置于一個晶圓上，并將單元堆疊在上面。然而，隨著層數(shù)超過 400，下層外圍的壓力會影響可靠性，即施加于下部渡輪的壓力可能會變得很大并造成損壞。

因此，三星、海力士等企業(yè)決定采用W2W（晶圓到晶圓）混合鍵合技術，即在單獨的晶圓上制造電池和渡線，然后將它們組合成一個。而這一技術，其實就是長江存儲大約四年前就開始積極量產名為“Xtaking”的混合鍵合技術。

長江存儲的優(yōu)勢？

據(jù)ZDNET Korea報道報道，目前擁有混合鍵合相關技術專利最多的三家公司分別是Xperi、長江存儲和TSMC。那么，為什么三星為什么首先要與長江存儲合作？

從ZDNET Korea的報道來看，長江存儲擁有以下幾大優(yōu)勢：

1、長江存儲擁有多項獨家技術

最初，長江存儲與美國專利授權公司Xperi簽署協(xié)議獲得了混合鍵合技術的原始專利。此后，長江存儲通過自主技術創(chuàng)新，在混合鍵合技術技術方面又建立了相當多的自主技術專利。

2、長江存儲的“Xtaking”技術已經(jīng)穩(wěn)定量產

目前，長江存儲的“Xtaking”技術已經(jīng)演進到第四代，即“4.x”版本。長江存儲此前已利用Extacking技術量產了160級、192級、232級等產品。因此，有評估認為這已實現(xiàn)了混合鍵合的技術穩(wěn)定。

相比之下，Xperi是一家專利授權公司，而臺積電雖然是一家半導體代工企業(yè)，但其本身并不生產NAND閃存芯片。

最后，ZDNET Korea援引知情人士的話稱： “三星電子也是在判斷其在V10、V11和V12等下一代NAND的開發(fā)中幾乎不可能避開長江存儲的專利的情況下簽訂了許可協(xié)議?！?/p>

不過需要注意的是，雖然三星獲得了長江存儲的專利授權，但在生產成本上，還是會高于長江存儲。TechInsights 的 Choi Jeong-dong 博士表示：“由于存在許多變化，例如工藝轉換和新設施投資，因此與長期采用混合鍵合技術的長江存儲相比，制造成本必然會高得多?！?/p>

延伸閱讀：韓國在半導體基礎、原創(chuàng)研究方面已經(jīng)落后中國

韓國媒體東亞日報報道，據(jù)韓國科學技術企劃評價院23日的報告書顯示，以2024年為準，韓國在半導體核心技術5個領域中，在高集成存儲器，高性能人工智能半導體，電力半導體，新一代高性能傳感技術等4個領域落后于中國。在先進封裝技術領域，被評價為與中國打個平手。

報告書評價說，以半導體技術生命周期為準，在工藝和批量生產技術上，韓國雖然領先于中國，但在基礎、原創(chuàng)研究和設計技術上，不僅落后于中國，而且在主要國家中處于最低水平。

長江存儲三星 SK海力士

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